Системы обозначений

Системы обозначений

Сообщение slav0n » 13 апр 2012, 11:55

Система обозначений MOSFET в корпусе SOT-23

В обозначении MOSFET в корпусе SOT-23 содержится расшифровка управляющего напряжения на затворе, типа корпуса, технологии кристалла, уровня напряжения на стоке и размер кристалла. Пример обозначения нового транзистора в корпусе SOT-23:

IR L ML 6 2 44 TR PBF

L - уровни управляющих напряжений (тип управления):

F - только стандартный или стандартный с возможностью управления логическими уровнями напряжений;
L - управление логическими уровнями, а также возможность управления низкими логическими уровнями сигналов.

Стандартный тип - транзистор открыт при уровнях напряжения на затворе 10...20 В.
Логический уровень - транзистор открыт при напряжении на затворе 4,5 В (max Vgs 16 или 12 В).
Низкие уровни управления - транзистор открыт при низком напряжении на затворе 2,5 В (max Vgs 8 В)

ML - тип корпуса:

Нет суффикса- SO-8 или DirectFET;
H - PQFN 5x6;
HM - PQFN 3,0x3,0 или 3,3x3,3;
HS - PQFN 2x2;
R - DPAK;
T - TSSOP-8;
TS - TSOP-6;
ML - SOT-23.

1-я цифра - технология:

6 - Gen 12.2 (напряжение на затворе 12 В);
8 - Gen 10.59 (напряжение на затворе 20 В);
9 - Gen 12.1 (напряжение на затворе 20/25 В);
2 - Gen 12.1 (напряжение на затворе 12 В ).

2-я цифра - Максимальное напряжение на стоке:

3 - 30 В;
2 - 25 или 20 В.

3-я и 4-я цифры - размер кристалла:

Один кристалл в корпусе - от 0 до 49;
Два кристалла - от 50 до 79 (Single +30).

Внимание! Система обратная: чем выше номер, тем меньше размер кристалла!
while(1||!1);
slav0n
Site Admin
 
Сообщения: 4326
Зарегистрирован: 15 ноя 2009, 18:43
Благодарил (а): 24 раз.
Поблагодарили: 383 раз.

Сообщение slav0n » 13 апр 2012, 12:52

ОБОЗНАЧЕНИЕ ЗАРУБЕЖНЫХ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ

За рубежом существует три основные системы обозначений радиоэлементов: американская (JEDEK), европейская (PRO ELECTRON) и японская (JIS).

---------------------------------
Американская система обозначений (JEDEK):

Примеры: 1N4148, 2N5551....

Первая цифра показывает количество р-п переходов:
1 - диод;
2 - транзистор;
3 - тиристор.

За цифрой следует буква N и затем серийный номер. Буквы за номером обозначают разные параметры для приборов одного типа.

-------------------------------------
Европейская система обозначений (PRO ELECTRON):

Примеры: BZY56, ВС547С, BF492, BU508....

Основное обозначение по этой системе состоит из пяти знаков. Две буквы и три цифры - для широкого применения. Три буквы и две цифры - для специальной аппаратуры. Следующая за ними буква обозначает разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это, как правило, коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока).

Первая буква - код материала:
А - германий;
В - кремний;
С - арсенид галлия;
R - сульфид кадмия.

Вторая буква - назначение:
А - маломощный диод;
В -варикап;
С - маломощный низкочастотный транзистор;
D - мощный низкочастотный транзистор;
Е - туннельный диод;
F - маломощный высокочастотный транзистор;
G - несколько приборов в одном корпусе;
Н - магнитодиод;
L - мощный высокочастотный транзистор;
М - датчик Холла;
Р - фотодиод, фототранзистор;
Q - светодиод;
R - маломощный регулирующий или переключающий прибор;
S - маломощный переключательный транзистор;
Т - мощный регулирующий или переключающий прибор;
U - мощный переключательный транзистор;
Х - умножительный диод;
Y- мощный выпрямительный диод;
Z - стабилитрон.

----------------------------------
Японская система обозначений (JIC):

Примеры: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555....

Условное обозначение состоит из пяти элементов:

Первый элемент - цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:
О - фотодиод, фототранзистор;
1 - диод;
2 - транзистор;
3 - тиристор.

Второй элемент - буква S (Semiconductor).

Третий элемент - тип прибора:
А - высокочастотный р-п-р транзистор;
В - низкочастотный р-п-р транзистор;
С - высокочастотный п-р-п транзистор;
D - низкочастотный п-р-п транзистор;
Е - диод Есаки;
F - тиристор;
G - диод Ганна;
Н - однопереходный транзистор;
I - полевой транзистор с р-каналом;
К - полевой транзистор с п-каналом;
М - симметричный тиристор (симистор);
Q - светодиод;
R - выпрямительный диод;
S - слаботочный диод;
Т - лавинный диод;
V - варикап;
Z - стабилитрон.

Четвёртый элемент обозначает регистрационный номер и начинается с числа 11.

Пятый - одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A - B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 - D1555 и т. п.

---------------------------------------
Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма "SAMSUNG" в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма "MOTOROLA" - MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).

Популярные транзисторы фирмы "SAMSUNG" - SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой - С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 - С8050 и т. п.
while(1||!1);
slav0n
Site Admin
 
Сообщения: 4326
Зарегистрирован: 15 ноя 2009, 18:43
Благодарил (а): 24 раз.
Поблагодарили: 383 раз.

Сообщение blazerd » 15 янв 2013, 18:25

Приходится покупать в интернет магазине LNBP21P,нужна в корпусе Powers SO-20 ,боюсь лохануться .Подскажите пожалуйста, LNBP21PD вот это - PD говорит о том, что эта микросхема именно в корпусе Powers SO-20?
blazerd
 
Сообщения: 105
Зарегистрирован: 21 авг 2012, 13:39
Благодарил (а): 35 раз.
Поблагодарили: 0 раз.

Сообщение slav0n » 16 янв 2013, 21:58

blazerd писал(а): LNBP21PD вот это - PD говорит о том, что эта микросхема именно в корпусе Powers SO-20?

судя по таблице из даташита, это оно.
Уточнить у продавца.
Вложения
21.gif
21.gif (3.75 Кб) Просмотров: 754
while(1||!1);
slav0n
Site Admin
 
Сообщения: 4326
Зарегистрирован: 15 ноя 2009, 18:43
Благодарил (а): 24 раз.
Поблагодарили: 383 раз.

Re: Системы обозначений

Сообщение blazerd » 12 фев 2013, 11:31

да .действительно ,так оно и вышло.Не обманули,прислали то что надо
blazerd
 
Сообщения: 105
Зарегистрирован: 21 авг 2012, 13:39
Благодарил (а): 35 раз.
Поблагодарили: 0 раз.

Re: Системы обозначений

Сообщение blazerd » 10 мар 2013, 15:00

Подскажите пожалуйста .какова индуктивность этих дросселей .заблудился в инете .кто как говорит....
Вложения
22.png
blazerd
 
Сообщения: 105
Зарегистрирован: 21 авг 2012, 13:39
Благодарил (а): 35 раз.
Поблагодарили: 0 раз.

Re: Системы обозначений

Сообщение slav0n » 10 мар 2013, 15:37

по-идее первые 2 цифры - номинал в микрогенри, третья цифра - количество нулей.
223 = 22000 мкГн
22 = 220 = 22 мкГн
while(1||!1);

За это сообщение автора slav0n поблагодарил:
blazerd(10 мар 2013, 16:54)
slav0n
Site Admin
 
Сообщения: 4326
Зарегистрирован: 15 ноя 2009, 18:43
Благодарил (а): 24 раз.
Поблагодарили: 383 раз.

Re: Системы обозначений

Сообщение Speys » 13 мар 2013, 22:58

Таблица -индуктивность частота допустимый ток дроссель UC-CD75
Вложения
2013-01-14_001339.gif
Аватара пользователя
Speys
супермодератор
 
Сообщения: 704
Зарегистрирован: 18 ноя 2009, 02:31
Благодарил (а): 18 раз.
Поблагодарили: 25 раз.


Вернуться в Элементы, компоненты, детали... "железо" в общем

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 1